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삼성, 평택 공장 앞당긴다…SK도 용인 클러스터 확대 2025-09-30 15:06:52
6세대(1c) 공정 D램이 주력 생산될 예정인데, 이 공정은 HBM4에 적용됩니다. SK하이닉스도 용인 반도체 클러스터가 오는 2027년 7월 준공을 목표로 하고 있는데요, 용인 클러스터 공사를 담당하는 카뮤이앤씨는 당초 계약금액 1,410억원에서 2,402억원으로 대폭 늘었다고 어제(29일) 공시했습니다. 아이에스동서도...
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미 리튬주 95% 폭등...관련주 벌써 '들썩' - 와우넷 오늘장전략 2025-09-25 08:24:58
한 단계 앞선 10나노급 6세대(1c) D램, 자사 파운드리 4나노 등의 공정을 도입해. 올해 7월 1c 나노 공정의 HBM4 개발을 완료해 주요 고객사에 샘플을 출하했고 연내 양산 체제 구축이 예상. 삼성전자가 개발하고 있는 HBM4는 셀 집적도를 높여 전 세대 대비 40% 전력 효율이 개선됐고 데이터 처리 속도도 11Gbps에 달하는...
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'HBM4 전쟁' 선포한 마이크론…내년 '메모리 슈퍼 사이클' 확신 2025-09-24 10:50:29
주력하고 있다. 1c(10나노급 6세대) D램 공정과 4나노 파운드리 공정을 동시에 적용하는 승부수를 던지며 차별화 전략에 나섰다. HBM4 시장 개막으로 본격적인 메모리 슈퍼 사이클이 시작될 것이란 기대감이 나온다. 미국 투자은행 모건스탠리는 최근 '메모리 슈퍼사이클, AI의 부상으로 모든 산업에 호황'이라는...
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"삼성전자, 반도체 상승 사이클 최대 수혜"-KB 2025-09-24 08:45:59
공급 의존도가 확대될 것"이라며 "삼성전자 HBM4는 1c D램과 4nm 로직다이를 적용, 공급사 중 가장 높은 속도(11Gbps)를 구현해 엔비디아의 성능 상향과 물량 확대를 동시에 충족시켜 경쟁사 대비 유리한 입지 구축이 예상되기 때문"이라고 설명했다. 이어 "마이크론이 엔비디아 HBM4의 속도 상향 스펙을 맞추지 못해...
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'삼성전자' 52주 신고가 경신, 구조적 수요 성장기 진입 - KB증권, BUY 2025-09-23 09:18:00
엔비디아 HBM3E 12단 품질 테스트 통과와 1c D램 HBM4 공급 가능성 확대로 내년 HBM 출하 급증이 예상되기 때문이다. 목표주가를 110,000원(26E P/B 1.6X)으로 +22.2% 상향하고 KOSPI 최선호주로 제시한다. "라고 분석하며, 투자의견 'BUY', 목표주가 '110,000원'을 제시했다. 한경로보뉴스 이 기사는 한국경제신문과 금융...
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반도체 대장주 훈풍에...불 뿜는 '소부장' 2025-09-23 07:24:56
업체에 대해 "2026년 삼성전자, SK하이닉스의 1c 나노 전환 투자 관련된 전 공정 장비 업체들에 대한 비중 확대도 여전히 유효하다"고 분석했다. 고영민 다올투자증권 연구원은 "국내 주요 소부장은 삼성전자 노출도가 높다"며 "삼성전자의 실적 회복세 관점에서 대부분 소부장의 실적과 주가 반등이 가능하다"고 설명했다...
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삼성전자·SK하이닉스 주가 달리자…반도체 '소부장'도 뛴다 2025-09-23 07:05:01
"2026년 삼성전자, SK하이닉스의 1c 나노 전환 투자 관련된 전 공정 장비 업체들에 대한 비중 확대도 여전히 유효하다"고 말했다. 고영민 다올투자증권 연구원은 "국내 주요 소부장은 삼성전자 노출도가 높다"며 "삼성전자의 실적 회복세 관점에서 대부분 소부장의 실적과 주가 반등이 가능하다"고 짚었다. 그러면서 그는...
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"이번에는 진짜 '10만전자' 간다?"…개미들 '대환호' [종목+] 2025-09-22 09:42:30
"삼성전자의 HBM4는 '1c D램'과 4나노미터(㎚·1㎚=10억분의 1m) 파운드리를 '로직 다이'에 적용해 11Gbps 수준의 데이터처리 속도를 구현할 전망"이라며 "엔비디아의 요구 조건과 물량 확대 주문을 동시에 충족할 것으로 예상된다"고 밝혔다. 범용 메모리 가격도 오르고 있다. 대신증권은 "4분기 범용 D램...
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삼성 HBM4와 1c D램 현황은 어떨까 [강해령의 테크앤더시티] 2025-09-20 13:37:54
상황 같습니다. 1c D램은 전영현 삼성전자 부회장의 지시로 재설계됐죠. '더미(리던던시) 셀'로도 불리는 예비 소자들의 수를 늘린 것으로 알려졌습니다. 회사는 지난 상반기 1c D램 양산 승인을 낸 뒤에 수율에서 더욱 점진적인 개선을 보고 있는 것으로 보입니다. 콜드 테스트의 수율이 60~70%대를 기록했다는...
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1년반 만에 '엔비디아 벽' 뚫은 삼성…HBM3E 12단 공급한다 2025-09-19 17:29:09
삼성은 HBM4에 10나노 6세대 D램(1c D램)을 투입하는 반면 SK하이닉스와 마이크론은 HBM3E에 넣은 1b D램을 HBM4에도 투입한다. 삼성은 두뇌 역할을 하는 로직 다이를 4㎚ 파운드리(반도체 수탁생산) 공정으로 만들지만, SK하이닉스는 대만 TSMC의 12㎚ 공정을, 마이크론은 자체 12㎚ 공정을 활용한다. 스펙만 보면 삼성이...
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